Планарно - епітаксійний транзистор |
👉 Визначення: |
| Планарно - епітаксійний транзистор (або Планарно-эпитаксиальный транзистор) - Біполярний транзистор, виготовлений за планарно-епітаксійною технологією. Планарно-эпитаксиальный транзистор - это Биполярный транзистор, изготовленный по планарно-эпитаксиальной технологии). Референси:"Планарно - епітаксійний транзистор або Планарно-эпитаксиальный транзистор" згадується у нормативному документі ДСТУ 2449-94 ПРИЛАДИ НАПІВПРОВІДНИКОВІ Терміни. Теги: . Довжина тлумачення терміну: 208 символів. |
|
| ||||
| Фразу додано 2016-12-11 та оновлено 2026-06-20T00:10Z. Відповідно: більше року тому. | ||||
FAQ❔ Де джерело визначення Планарно - епітаксійний транзистор?Термін "Планарно - епітаксійний транзистор" походить з нормативного документа ДСТУ 2449-94 ПРИЛАДИ НАПІВПРОВІДНИКОВІ Терміни.
❔ Яким чином зібрано цю інформацію?Редакторський колектив сайту збирав інформацію про цей термін з відкритих джерел в мережі інтернет та в нормативній літературі вже досить давно. На сторінці ви знайдете вказівки на джерело.
| ||||
|
Термін Планарно - епітаксійний транзистор відноситься до категорії літера "П", згадується у документі ДСТУ 2449-94 ПРИЛАДИ НАПІВПРОВІДНИКОВІ Терміни. Ключові слова сторінки: .
| ||||
👉Суміжні терміниТакож прогляньте схожі технічні визначення з ДСТУ 2449-94 ПРИЛАДИ НАПІВПРОВІДНИКОВІ Терміни: | ||||