Планарно - епітаксійний транзистор
👉 Визначення:
Планарно - епітаксійний транзистор (або Планарно-эпитаксиальный транзистор) - Біполярний транзистор, виготовлений за планарно-епітаксійною технологією.
Планарно-эпитаксиальный транзистор - это Биполярный транзистор, изготовленный по планарно-эпитаксиальной технологии).
Планарно-эпитаксиальный транзистор - это Биполярный транзистор, изготовленный по планарно-эпитаксиальной технологии).
Референси:
"Планарно - епітаксійний транзистор або Планарно-эпитаксиальный транзистор" згадується у нормативному документі ДСТУ 2449-94 ПРИЛАДИ НАПІВПРОВІДНИКОВІ Терміни. Теги: . Довжина тлумачення терміну: 208 символів.Додано: Переглядів: 962
Фразу додано 2016-12-11 та оновлено 2016-12-11. Відповідно: 0 днів тому.
FAQ
❔ Де джерело визначення Планарно - епітаксійний транзистор?
Термін "Планарно - епітаксійний транзистор" походить з нормативного документа ДСТУ 2449-94 ПРИЛАДИ НАПІВПРОВІДНИКОВІ Терміни.
❔ Яким чином зібрано цю інформацію?
Редакторський колектив сайту збирав інформацію про цей термін з відкритих джерел в мережі інтернет та в нормативній літературі декілька днів тому. На сторінці ви знайдете вказівки на джерело.
Термін Планарно - епітаксійний транзистор відноситься до категорії літера "П", згадується у документі ДСТУ 2449-94 ПРИЛАДИ НАПІВПРОВІДНИКОВІ Терміни.
Ключові слова сторінки: .